6英寸、8英寸碳化硅衬底片
碳化硅作为C和Si稳定的化合物，其晶格结构由致密排列的两个亚晶格组成，每个Si(或C)原子与周边包围的C(Si)原子通过定向的强四面体sp3键结合，虽然SiC的四面体键很强，但层错形成能量却很低，这一特点决定了SiC的多型体现象，已经发现SiC具有250多种多型体，每种多型体的C/Si双原子层的堆垛次序不同。
自主研发设计的SiC单晶生长设备
采用适当的加工设备和加工工艺，对碳化硅晶体以及晶片进行切割、研磨、抛光和CMP加工
对碳化硅晶片进行表面处理、清洗、封装等工艺技术，使产品达到开盒即用
